收藏本站
NTD4855N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
90
80
10 V
3.8 V
3.6 V
T J = 25 ° C
3.4 V
140
130
120
V DS ≥ 10 V
70
60
50
40
3.2 V
110
100
90
80
70
60
30
20
10
0
0
1
2
3
4
3.0 V
2.8 V
5
50
40
30
20
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2
T J = --55 ° C
3
4
5
0.04
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On--Region Characteristics
0.007
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
0.03
0.025
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.006
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.02
0.015
0.01
0.005
0.004
0.003
V GS = 11.5 V
0
2
4
6
8
10
0.002
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
1.8
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On--Resistance vs. Gate--to--Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On--Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
100
T J = 125 ° C
0.8
10
T J = 25 ° C
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD4856NT4G MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
NTD4857NT4G MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
NTD4860NT4G MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
NTD4863NA-35G MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
NTD4865NT4G MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
NTD4904N-1G MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
NTD4905N-35G MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
NTD4906NT4G MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK
相关代理商/技术参数
NTD4855NT4H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTD4856N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4856N-1G 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4856N-35G 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4856NT4G 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4857N-1G 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857N-35G 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube